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KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理國外進口進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)
型號 |
KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
供電 |
DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 |
2 |
- 陽極電壓 |
0-100V DC |
電子束 |
OptiBeam™ |
- 柵極 |
專用, 自對準 |
-柵極直徑 |
7.5 cm |
中和器 |
燈絲 |
電源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
配置 |
- |
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 |
移動或快速法蘭 |
- 高度 |
7.9 |
- 直徑 |
5.5 |
- 離子束 |
聚焦 |
-加工材料 |
金屬 |
-工藝氣體 |
惰性 |
-安裝距離 |
6-24” |
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 非常高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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