電解氧化設備

1.本晶片電解氧化設備適用于在0.1n koh 乙二醇溶液條件下，用電解方法在半導體晶片表面形成氧化膜;用電解方法剝離半導體晶片表面氧化膜;用電解方法在半導體表面進行刻蝕。

2.箱體采用12㎜厚進口pp板；底部設不銹鋼調平支腳及腳輪，便于移動；操作面設有維修活動門，便于操作；

3.有溫度報警裝置.

4.配置1個工藝槽，1個純水噴洗槽；diw水槍一個.槽體采用10㎜厚進口pp板焊接，槽體無滲漏、變形，底部設有一排液閥，便于更換溶液.

5.本晶片電解氧化設備配備可移動陽極導電桿及不銹鋼陽極板及晶片固定夾具。


6、工藝槽配置循環(huán)磁力泵和過濾筒，保證溶液的連續(xù)過濾和消除汽泡，以除去溶液中的各種固體雜質和渣滓（濾芯的過濾精度可選）。

7、循環(huán)管路、上水、排液管路均為pp材質，管路線端設總閥控制，整體管線進行固定，布局合理，橫平豎直，設有操作閥門便于操作。
8.還可用于其它金屬的表面處理.