主營(yíng):擴(kuò)散爐系列,真空爐系列,鏈?zhǔn)剿淼罓t系列,氫氣爐系列,砷化鎵單晶爐系列,LED專(zhuān)用設(shè)備,太陽(yáng)能光伏擴(kuò)散爐,磁性材料專(zhuān)用設(shè)備
用途:用于半導(dǎo)體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備特點(diǎn):一次設(shè)定自動(dòng)完成,可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進(jìn)口機(jī)組主要技術(shù)指標(biāo):制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜;溫度:400~900℃;恒溫區(qū)600mm±0.5℃;真空系統(tǒng)機(jī)械泵+羅茨泵,配有抽氣冷井;控溫器采用進(jìn)口5吋觸
2016-09-24 電議/臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo):◆釤鈷退火每爐15-150公斤,燒結(jié)每爐35公斤◆工作溫度及均勻度:1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度:5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(燒結(jié))◆滿(mǎn)足工藝要求的均勻升溫、冷卻◆控制方式:觸摸屏、工控機(jī)◆型號(hào):VTO-250(燒結(jié))/VTO-4
2016-09-24 電議/臺(tái)◆全中文操作界面,可編輯參數(shù),操作簡(jiǎn)便◆可保存多條工藝曲線(xiàn),每條曲線(xiàn)可設(shè)置多步◆工藝曲線(xiàn)的自動(dòng)運(yùn)行控制功能◆自動(dòng)運(yùn)行中可暫停繼續(xù)運(yùn)行功能◆工藝中可強(qiáng)制跳到下一工藝步運(yùn)行功能◆智能升降溫斜率控制功能◆PID參數(shù)自整定功能◆可存儲(chǔ)多組PID參數(shù)供系統(tǒng)運(yùn)
2016-09-24 電議/臺(tái)◆工作溫度:300~1200℃◆有效口徑根據(jù)用戶(hù)擴(kuò)散片確定,可訂制◆恒溫區(qū)長(zhǎng)度:920mm1350mm(可根據(jù)用戶(hù)要求定制)◆溫區(qū)精度(靜態(tài)閉管測(cè)試):600℃<工作溫度<1200℃:±0.5℃300℃&le工作溫度&le600℃:±1℃◆單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性(靜態(tài)閉管測(cè)試)
2016-09-24 電議/臺(tái)產(chǎn)品說(shuō)明:擴(kuò)散爐主要滿(mǎn)足半導(dǎo)體電力電子器件行業(yè)、大功率集成電路等行業(yè),對(duì)所加工硅片進(jìn)行擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴(kuò)散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機(jī)微控方式或者程控方式操作。主要技術(shù)指標(biāo):★可處理硅片尺寸:2&mdash8英寸★外
2016-09-24 電議/臺(tái)本設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路、分立器件、電力電子器件熔化焊接來(lái)進(jìn)行的生產(chǎn)、擴(kuò)散、燒結(jié)、以及熱處理退火等工藝操作。主要技術(shù)指標(biāo):方式:立式、環(huán)壁加熱,鐘罩升降式,絲杠上下傳送料,自動(dòng)升降送料,真空室內(nèi)配有工件支架可處理硅片尺寸:28英寸恒溫區(qū)長(zhǎng)度:400800mm工作溫度:
2016-09-24 電議/臺(tái)特點(diǎn):★關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件,具有高可靠性!锞哂锌删幊痰纳、降溫功能!锞哂袛嚯妴(dòng)緊急信號(hào)、超溫啟動(dòng)緊急信號(hào)、較限超溫啟動(dòng)緊急信號(hào)等多種安全保護(hù)功能!锟纱鎯(chǔ)九條工藝曲線(xiàn)。每條工藝曲線(xiàn)較多有九步。★曲線(xiàn)間可以任意鏈接、重復(fù)!锞哂懈呖垢蓴_能力!锞哂卸喾N工藝
2016-09-24 電議/臺(tái)