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可控硅靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)

2025-12-31 100000/元

高集成化電力半導(dǎo)體全動(dòng)態(tài)測(cè)

一.功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動(dòng)態(tài)測(cè)試法是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，已被國(guó)

2025-12-30 50000/臺(tái)

晶閘管高溫反偏測(cè)試儀

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中的測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印1

2025-12-29 100000/臺(tái)

浪涌電流測(cè)試儀 電力電子行

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的專用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)

2025-12-29 /臺(tái)

整流橋 晶閘管模塊可靠性測(cè)

一、測(cè)試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測(cè)試設(shè)備可對(duì)晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。***設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動(dòng)調(diào)壓試驗(yàn)。對(duì)試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時(shí)間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個(gè)工位為一組控制，

2025-12-26 100000/臺(tái)

功率器件雪崩能量測(cè)試儀

雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，

2025-12-26 100000/臺(tái)

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 地鐵

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)一.功能簡(jiǎn)介IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

2025-12-25 100000/臺(tái)

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并

2025-12-24 100000/臺(tái)

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備

功率器件雪崩能量測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介n雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常

2025-12-24 100000/臺(tái)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)

IGBT測(cè)試系統(tǒng)核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off/Qrr

2025-12-22 100000/臺(tái)