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  • 晶閘管高溫反偏測試儀
    晶閘管高溫反偏測試儀

    一、產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中的測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機控制系統(tǒng)9)合格證標簽打印1

    2026-02-07 100000/臺
  • 浪涌電流測試儀 電力電子行業(yè)
    浪涌電流測試儀 電力電子行

    一、產品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。該套測試設備主要有以下幾個單元組成:1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計算機

    2026-02-07 /臺
  • 整流橋 晶閘管模塊可靠性測試儀
    整流橋 晶閘管模塊可靠性測

    一、測試設備功能和技術指標1.主要適用功能:本測試設備可對晶閘管、整流管的電耐久性進行試驗,測試設備主要技術條件符合JB/T-7626-2013等相關標準。***設備的安全性和使用耐久性。2.控制方式:采用手動調壓試驗。對試驗電參數(shù)(試驗時間、電壓、漏電流,)進行顯示。10個工位為一組控制,

    2026-02-06 100000/臺
  • 功率器件雪崩能量測試儀
    功率器件雪崩能量測試儀

    雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會降額,

    2026-02-06 100000/臺
  • IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 地鐵高鐵
    IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 地鐵

    IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)一.功能簡介IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

    2026-02-05 100000/臺
  • 10uS方波浪涌測試設備 半導體研發(fā)
    10uS方波浪涌測試設備 半導

    10uS方波浪涌測試設備一、產品簡介10uS方波浪涌測試設備,是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,該設備具有如下特點:1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果,并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

    2026-02-05 100000/臺
  • 功率半導體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)
    功率半導體標準動態(tài)特性測試

    功率半導體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)功率半導體標準動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并

    2026-02-04 100000/臺
  • 功率器件雪崩能量測試設備
    功率器件雪崩能量測試設備

    功率器件雪崩能量測試設備一、產品簡介n雪崩能量測試臺,是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備,對于那些在應用過程中功率器件兩端產生較大電壓的尖峰應用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對于反激的應用,電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常

    2026-02-04 100000/臺
  • IGBT測試系統(tǒng)
    IGBT測試系統(tǒng)

    IGBT測試系統(tǒng)核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有:MOSFET參數(shù)測試設備:靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));動態(tài)參數(shù)(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off/Qrr

    2026-02-03 100000/臺
  • 功率半導體標準動態(tài)特性測試設備
    功率半導體標準動態(tài)特性測試

    功率半導體標準動態(tài)特性測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺(下面簡稱測試臺),規(guī)定了測試臺的主要技術要求,參數(shù)范圍,操作流程,試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做

    2026-02-03 100000/臺
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