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晶閘管 門極/阻斷特性測試儀

系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測試的專業(yè)設(shè)備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測試臺具有漏電流自動保護(hù)功能，過電壓

2025-04-24 100000/臺

ZY-1500R IGBT 靜態(tài)參數(shù)測試

系統(tǒng)概述：針對IGBT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試系統(tǒng)，功率3500V、1500A（可擴(kuò)展），自動化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活，可測試單個

2025-04-24 100000/臺

ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測試方法符合

2025-04-23 100000/臺

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活，可測試單個

2025-04-23 100000/臺

自動熱穩(wěn)態(tài)模塊夾具 供應(yīng)

本實(shí)用新型公開了一種自動壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐

2025-04-22 100000/臺

IGCT測試設(shè)備功率器件阻斷特

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號

2025-04-22 100000/臺

半導(dǎo)體 分立器件測試設(shè)備

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A。采用了脈沖測試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點(diǎn)擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座，自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試

2025-04-21 100000/臺

功率器件 圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電

2025-04-21 100000/臺

晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2025-04-19 100000/臺

半導(dǎo)體器件晶閘管全動態(tài)測試

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-04-19 100000/臺

SCR晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，

2025-04-18 100000/臺

可控硅高溫阻斷耐久性試驗(yàn)臺

產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻

2025-04-18 100000/臺

晶閘管高溫阻斷試驗(yàn)臺

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗(yàn)。對試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

2025-04-17 100000/臺

整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗(yàn)。對試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

2025-04-17 100000/臺

碳化硅雪崩測試系統(tǒng) 半導(dǎo)體

一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額

2025-04-16 100000/元

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)

2025-04-16 100000/元

8KV交流阻斷耐久性測試儀

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗(yàn)。對試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制

2025-04-15 10000/元

高集成化電力半導(dǎo)體全動態(tài)測

一.功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國

2025-04-15 50000/臺

晶閘管高溫反偏測試儀

一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測試中的測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印1

2025-04-14 100000/臺

浪涌電流測試儀 電力電子行

一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門極觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門極電阻8)計(jì)算機(jī)

2025-04-14 /臺

整流橋 晶閘管模塊可靠性測

一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗(yàn)，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。***設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗(yàn)。對試驗(yàn)電參數(shù)（試驗(yàn)時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制，

2025-04-12 100000/臺

功率器件雪崩能量測試儀

雪崩能量測試臺，是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，

2025-04-12 100000/臺

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 地鐵

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)一.功能簡介IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

2025-04-11 100000/臺

10uS方波浪涌測試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測試設(shè)備一、產(chǎn)品簡介10uS方波浪涌測試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

2025-04-11 100000/臺

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并

2025-04-10 100000/臺

功率器件雪崩能量測試設(shè)備

功率器件雪崩能量測試設(shè)備一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設(shè)計(jì)測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備，對于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常

2025-04-10 100000/臺

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試設(shè)備主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細(xì)節(jié)做

2025-04-09 100000/臺

IGBT測試系統(tǒng)

IGBT測試系統(tǒng)核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/Qrr

2025-04-09 100000/臺

浪涌電流測試系統(tǒng)

浪涌電流測試系統(tǒng)一、產(chǎn)品簡介浪涌電流測試系統(tǒng)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3、該套測試設(shè)

2025-04-08 100000/臺

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)主要有：MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/

2025-04-08 100000/套

可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備半導(dǎo)

可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備1.總則可控硅反向恢復(fù)測試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測試。本技術(shù)規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導(dǎo)體反向恢復(fù)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的技術(shù)參數(shù)要求，試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)驗(yàn)收及包裝運(yùn)輸要求等。本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細(xì)節(jié)

2025-04-07 100000/套

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試

功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試儀主要完成功率器件的開通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測試。本技術(shù)規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。本技術(shù)規(guī)范并未對一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定

2025-04-07 100000/套

功率器件換相時間測試系統(tǒng)

功率器件換相時間測試系統(tǒng)電路換相關(guān)斷時間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉(zhuǎn)折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的正值瞬間之間的時間間隔。其測試原理是在反向恢復(fù)測試后施加特定電壓上升率的再加電壓，調(diào)整電壓和電流的間隔時間找到臨界值，讀出電流下降到零點(diǎn)到電壓上升。功

2025-04-03 100000/套

二極管正向浪涌測試設(shè)備

二極管正向浪涌測試設(shè)備一、產(chǎn)品簡介二極管正向浪涌測試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3

2025-04-03 100000/套

10mS正弦半波浪涌測試系統(tǒng)

一、產(chǎn)品簡介10mS正弦半波浪涌測試系統(tǒng)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。3、該套測試設(shè)備主要

2025-04-02 100000/臺

10uS-10mS DBC-102 浪涌電

系統(tǒng)概述：浪涌電流測試儀，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。DBC-102型浪涌電流試驗(yàn)臺的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。本系統(tǒng)通過電容放電產(chǎn)生電流波，結(jié)合上位機(jī)測試軟件

2025-04-02 100000/臺

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果，測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活，可測試單個

2025-04-01 100000/臺

功率器件高反壓 反向恢復(fù) 測

系統(tǒng)概述：本測試設(shè)備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復(fù)特性參數(shù)的測試，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理計(jì)算后，將測試數(shù)據(jù)以表格形式顯示并可進(jìn)行編輯和

2025-04-01 100000/臺

功率器件 換向時間測試

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體換向時間測試臺，主要由可調(diào)的正向?qū)�通電流、可調(diào)的反向電壓等電路組成，及信號采集、恒溫壓機(jī)等組成。工作方式為自動，氣動。操作簡單，界面友好，且可重復(fù)性好。電路換相關(guān)斷時間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉(zhuǎn)折的斷態(tài)電壓急劇上升過零或最早的低的

2025-03-28 100000/臺

DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號

2025-03-28 100000/臺