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IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 地鐵

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)一.功能簡介IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

2025-12-25 100000/臺

10uS方波浪涌測試設備 半導

10uS方波浪涌測試設備一、產(chǎn)品簡介10uS方波浪涌測試設備，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

2025-12-25 100000/臺

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試系統(tǒng)功率半導體標準動態(tài)特性主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并

2025-12-24 100000/臺

功率器件雪崩能量測試設備

功率器件雪崩能量測試設備一、產(chǎn)品簡介n雪崩能量測試臺，是專門設計測試IGBT、二極管、MOS管測試設備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用，電路關斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常

2025-12-24 100000/臺

IGBT測試系統(tǒng)

IGBT測試系統(tǒng)核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有：MOSFET參數(shù)測試設備：靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/Qrr

2025-12-22 100000/臺

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試設備主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做

2025-12-22 100000/臺

浪涌電流測試系統(tǒng)

浪涌電流測試系統(tǒng)一、產(chǎn)品簡介浪涌電流測試系統(tǒng)，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：1、該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。2、該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。3、該套測試設

2025-12-19 100000/臺

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設備核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有：MOSFET參數(shù)測試設備：靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off/

2025-12-19 100000/套

可控硅反向恢復測試設備半導

可控硅反向恢復測試設備1.總則可控硅反向恢復測試設備主要完成功率器件在高di/dt下反向恢復特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書適用于ZY-Trr型功率半導體反向恢復特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的技術參數(shù)要求，試驗方法、檢驗驗收及包裝運輸要求等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)

2025-12-17 100000/套

功率半導體標準動態(tài)特性測試

功率半導體標準動態(tài)特性測試儀主要完成功率器件的開通特性、關斷特性以及極限關斷特性參數(shù)的測試。本技術規(guī)格書ZY-Eon適用于IGCT功率半導體標準動態(tài)特性測試臺（下面簡稱測試臺），規(guī)定了測試臺的主要技術要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗方法及檢驗規(guī)則等。本技術規(guī)范并未對一切技術細節(jié)做出規(guī)定

2025-12-17 100000/套