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主營:半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件

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  • DBC-112   可控硅 靜態(tài)綜合測試設(shè)備
    DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

    系統(tǒng)概述:針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備,電壓8500V、10000A(可擴(kuò)展),自動化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計算機(jī)記錄測試結(jié)果,測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機(jī)和PLC共同完成。測試方法靈活,可測試單個

    2025-12-11 100000/臺
  • DBC-029D 功率器件阻斷特性 測試設(shè)備
    DBC-029D 功率器件阻斷特性

    系統(tǒng)概述:功率半導(dǎo)體阻斷特性測試臺主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),反向重復(fù)峰值電壓(VRRM),斷態(tài)直流電壓(VD),及對應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流(IDRM),反向重復(fù)峰值電流(IRRM),及斷態(tài)電流(ID)等參數(shù)測試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件:序號

    2025-12-10 100000/臺
  • 功率器件圖示系統(tǒng)
    功率器件圖示系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動生成,也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試。通過USB或者RS232與電

    2025-12-09 100000/臺
  • 晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
    晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

    系統(tǒng)概述:本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關(guān)斷

    2025-12-08 100000/臺
  • 半導(dǎo)體  分立器件測試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體 分立器件測試系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點(diǎn)擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測

    2025-12-01 100000/臺
  • IGBT 便攜式測試儀
    IGBT 便攜式測試儀

    系統(tǒng)概述:IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件,已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè),一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀,是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試儀器,可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測試。儀器與配套電腦連接使用,通過友好人機(jī)界面

    2025-11-28 100000/臺
  • 晶閘管 門極/阻斷特性測試儀
    晶閘管 門極/阻斷特性測試儀

    系統(tǒng)概述:晶閘管門極/阻斷特性測試儀是可用于測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測試的專業(yè)設(shè)備。它的測試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測試臺具有漏電流自動保護(hù)功能,過電壓

    2025-11-27 100000/臺
  • ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)
    ZY-200 雪崩能量 測試系統(tǒng)

    系統(tǒng)概述:是專門設(shè)計測試IGBT、二極管、MOS管測試設(shè)備,該設(shè)備主要組成單元有:示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測試方法符合

    2025-11-26 100000/臺
  • 半導(dǎo)體  分立器件測試設(shè)備
    半導(dǎo)體 分立器件測試設(shè)備

    系統(tǒng)概述:設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點(diǎn)擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試

    2025-11-24 100000/臺
  • 晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備
    晶閘管、IGCT 動態(tài)參數(shù)測試

    系統(tǒng)概述:本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時間的測量。本設(shè)備符合國家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測試方法。系統(tǒng)單元:電流上升率di/dt關(guān)斷

    2025-11-14 100000/臺
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