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10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備 半導(dǎo)

10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介10uS方波浪涌測(cè)試設(shè)備，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

2026-02-05 100000/臺(tái)

DBC-112 可控硅 靜態(tài)綜合

系統(tǒng)概述：針對(duì)晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測(cè)試設(shè)備，電壓8500V、10000A（可擴(kuò)展），自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)

2026-01-28 100000/臺(tái)

DBC-029D 功率器件阻斷特性

系統(tǒng)概述：功率半導(dǎo)體阻斷特性測(cè)試臺(tái)主要完成各類功率器件的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）,斷態(tài)直流電壓（VD），及對(duì)應(yīng)的斷態(tài)重復(fù)峰值電流（IDRM），反向重復(fù)峰值電流（IRRM），及斷態(tài)電流（ID）等參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)單元及參數(shù)條件：序號(hào)

2026-01-27 100000/臺(tái)

功率器件圖示系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體功率器件圖示系統(tǒng)，系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成，也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過USB或者RS232與電

2026-01-26 100000/臺(tái)

晶閘管、IGCT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

系統(tǒng)概述：本設(shè)備適用于模塊及平板型晶閘管及整流管斷態(tài)電壓臨界上升率、通態(tài)峰值電壓、關(guān)斷時(shí)間、恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間的測(cè)量。本設(shè)備符合國(guó)家JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)〖反向阻斷三極晶閘管〗測(cè)試方法。系統(tǒng)單元：電流上升率di/dt關(guān)斷

2026-01-23 100000/臺(tái)

半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)

2026-01-21 100000/臺(tái)

IGBT 便攜式測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面

2026-01-19 100000/臺(tái)

晶閘管 門極/阻斷特性測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：晶閘管門極/阻斷特性測(cè)試儀是可用于測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二極管的VRRM、IRRM參數(shù)以及其它半導(dǎo)體器件的相關(guān)參數(shù)測(cè)試的專業(yè)設(shè)備。它的測(cè)試方法符合GB/JB/T7626-2013標(biāo)準(zhǔn)。該測(cè)試臺(tái)具有漏電流自動(dòng)保護(hù)功能，過電壓

2026-01-16 100000/臺(tái)

ZY-200 雪崩能量 測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述：是專門設(shè)計(jì)測(cè)試IGBT、二極管、MOS管測(cè)試設(shè)備，該設(shè)備主要組成單元有：示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器等。測(cè)試方法符合

2026-01-15 100000/臺(tái)

半導(dǎo)體 分立器件測(cè)試設(shè)備

系統(tǒng)概述：設(shè)備的擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電流、電壓以及測(cè)試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V，1250A。采用了脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試

2026-01-13 100000/臺(tái)