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產(chǎn)品描述

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備
核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)主要有：

MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS / B_VR / V_DS_（_Sat_） / I_DSS / V_GSTH / V_F / R_DS_（_on_））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。

IGBT參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試（包括I_GE / V_GE(th) / V_CEsat / V_F / I_CE / V_CE）；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備

二極管及可控硅/晶閘管（SCR）參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試（包括I_GT/V_GT / I_H / V_TM / V_D/I_D / V_R/I_R / dv/dt / I_L ）；動態(tài)參數(shù)測試（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌參數(shù)測試I_TSM；di/dt測試；老化及可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測試Rth。

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備